三季度反转，华为海思拉货效应显著这几家厂商产能利用率提升明显

三季度反转，华为海思拉货效应显著这几家厂商产能利用率提升明显

半导体：由于手机、通信、数据中心等下游行业需求复苏回暖，同时日韩事件发酵进一步改变中期供给、华为引领国产半导体全面突破等因素影响。国盛电子郑震湘认为半导体行业从2019年Q3开始，业绩同比、环比将有望四个季度以上持续高增长。相关公司：长川科技、长电科技、北京君正、兆易创新。

手机、通信、数据中心等下游行业需求复苏回暖，日韩事件发酵及华为引领国产全面突破等因素对半导体行业产生正向影响。

国盛电子郑震湘认为半导体行业从2019年Q3开始，业绩同比、环比将有望四个季度以上持续高增长。从设计、封测、制造三方面景气度回暖在Q3都将进一步显现，Q2设计公司全面增长仅仅是开始，Q3华为等效应将更加显著。

国盛电子郑震湘推荐相关公司：长川科技、长电科技、北京君正、兆易创新。

一、国产替代历史性机遇开启，今年正式从主题概念到业绩兑现

逆势方显优质公司本色，19H1行业下行周期中A股半导体公司迭超预期，优质标的国产替代、结构改善逐步兑现至报表是核心原因。

海思国产链传导受益路径分析：

代工订单：海思加大自研力度，追单台积电先进制程，同时传统制程向中芯国际大量转移，从而台积电、中芯国际产能利用率提升受益；

封测订单：第一重受益海思自研产品提升（总盘子提升），第二重受益封测订单由安靠等海外厂商向国内代工龙头长电科技、华天科技等厂商转移，从而长电科技、华天科技、通富微电等封测厂商产能利用率提升；

配套设备,材料：国内供应链占比提升后，国内封测厂追加产能，CAPEX提升，从而配套设备供应商及材料供应商或将从中受益。



二、半导体之存储：5G大幅催生数据存储需求

①当前日韩贸易争端发展趋势将直接决定2019年DRAM能否提前见底甚至反转，目前三星+海力士在全球DRAM/NANDFlash领域占据绝对领先份额，在核心材料出口受限下的风险敞口分别对应约64.7%/45.8%。

一旦发生实质性减产，则DRAM与NAND将在短期内结束下行周期，大概率迎来景气反转及短期价格大幅反弹。

②当前DRAM资本开支锐减、同时下游需求随着数据中心增速恢复、5G换机周期开启带动下，有望于19Q4-20Q1见底。

相关公司：兆易创新、北方君正。