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【风口研报】第三代半导体核心材料国产替代进行中!这两家国内公

时间:2019-12-09 00:01 来源:股窜网 作者:gucuan 阅读:
【风口研报】第三代半导体核心材料国产替代进行中!这两家国内公司技术储备丰富,已有产品已送样客户

半导体材料:氮化镓(GaN)为第三代半导体核心材料,光电转换效率极高,下游覆盖射频器件、光电器件等行业,目前供应商多为海外公司。海通证券认为后期国内企业有望打破垄断,实现国产替代。相关公司:海特高新已经具备5G氮化镓基站芯片代工能力、三安光电氮化镓射频产品已实现小规模供货。

近期市场最火的板块非半导体莫属,上周半导体50ETF单周5连阳,涨幅超过10%引领科技板块大行情。
【风口研报】第三代半导体核心材料国产替代进行中!这两家国内公司技术储备丰富,已有产品已送样客户
海通证券最新报告中建议投资者关注氮化镓(GaN)这种第三代半导体核心材料,主要用于通讯基站、射频器件领域。
目前尚未实现国代替代,但国内两家上市公司技术已有深度布局,其中海特高新已具备5G氮化镓基站芯片代工能力,而三安光电氮化镓射频已给几家客户送样,实现小批量出货,有望实现该领域国产替代。
①氮化镓:第三代半导体核心材料,主要用于军事、5G通讯基站等领域;

GaN(氮化镓)属于第三代半导体材料,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,材料的优势主要是成本低,易于大规模产业化。尽管耐压能力低于SiC器件,但优势在于开关速度快,如果配合SiC衬底,器件可同时适用高功率和高频率。

下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源等),光电器件(LED照明等)。
【风口研报】第三代半导体核心材料国产替代进行中!这两家国内公司技术储备丰富,已有产品已送样客户
5G宏基站建设将会拉动基站端GaN射频器件的需求量,拓璞产业研究院预计到2023年基站端GaN射频器件规模达到顶峰,达到112.6亿元。

②目前供应商多为海外公司,国产替代空间广阔,已有国内企业深度布局。

氮化镓产业链包括衬底、外延片、器件制造等环节,目前主流氮化镓生产厂家依旧集中在美、欧、日等国,我国企业尚未进入供给端第一梯队,海外产业链公司包括:德国Siltronic、日本Sumco、日本Shin-Etsu等企业。

但国内也有公司已进行深度布局,有望逐步实现进口替代,相关公司包括:海特高新:公司已建成国内首条6寸化合物半导体商用生产线,实现了核心高端芯片自主可控及国产化替代。目前公司已完成氮化镓NHP50基站技术能力建设和硅基氮化镓功率器件的开发,已完成580余款定制芯片的开发与流片,已经具备5G氮化镓基站芯片代工能力。

三安光电。三安光电主要从事III-V族化合物半导体材料的研发与应用,着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体新材料为核心主业。公司目前氮化镓射频涵盖5G领域,已给几家客户送样,产品已阶段性通过电应力可靠性测试,实现小批量供货。
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